三极管基本知识及电子电路图详解

发布时间:2020-11-03 03:38

  早期,由于锗晶体较易获得,主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后,由于硅管生产工艺很高效•,锗管逐渐被淘汰。

  发射区高掺杂:为了便于发射结发射电子,发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度,且发射结的面积较小;

  集电结面积大:集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体,但集电区的掺杂浓度要低,面积要大,便于收集电子。

  工艺结构在半导体产业相当重要,PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构,能制成各样各样的元件,包括IC。

  UBER是三极管启动的临界电压,它会受集射极电压大小的影响,正常工作时••,NPN硅管启动电压约为0.6V;

  基极电流IB一定时,集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线,是一组曲线时•, IC0 ,称为三极管处于截止状态,相当于开关断开;

  温度上升,、IC将增大,UCE将下降,在电路设计时应考虑采取相应的措施,如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

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